高激发 CdSe 纳米片中的双激子
介观与纳米尺度物理
2020-09-16 v1
摘要
我们给出了高激发 CdSe 纳米片中自由电荷（电子和空穴）、激子和双激子的相图，该相图预测在容易达到的低温或高光激发密度下将发生向双激子主导区域的转变。通过将双激子引入状态方程，我们的研究扩展了先前仅描述自由电荷和激子的工作，同时鉴于该材料中自由电荷密度相对较低，我们保持激子和双激子的结合能为常数。我们的预测在不久的将来可由实验检验，并为创造量子简并、甚至可能超流的双激子气体提供了前景。此外，我们还给出了简单的解析表达式，提供了对激子和双激子主导纳米片响应的光激发密度和温度区间的解析洞察。
引用
@article{arxiv.2003.14038,
title = {Biexcitons in Highly Excited CdSe Nanoplatelets},
author = {F. García Flórez and Laurens D. A. Siebbeles and H. T. C. Stoof},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.14038},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 6 figures