偏置依赖的缺陷在五烯烃中的生成与消散
材料科学
2009-11-10 v1 软凝聚态物质
摘要
我们描述了一种在五烯烃单晶中由偏置应力产生的缺陷，其在暗处的室温下可持续约一小时，但在420nm光照下仅持续几秒。该缺陷导致在室温下出现一个价空穴陷阱位于能垒上0.38eV处，并引起室温下的亚稳态输运效应。价空穴陷阱的生成与衰变速率具有0.67eV的活化能，且具有较小的预因子(108 s⁻¹)，这表明原子运动在生成和消散过程中起关键作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312721,
title = {Bias-Dependent Generation and Quenching of Defects in Pentacene},
author = {D. V. Lang and X. Chi and A. M. Sergent and A. P. Ramirez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312721},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures