超越单点近似的共振非弹性X射线散射谱电子-声子耦合效应建模
强关联电子
2021-09-22 v3
摘要
共振非弹性X射线散射（RIXS）日益用于表征材料中的低能集体激发。RIXS是一种强大的探测手段，常需要复杂的理论描述来解释数据。特别是，随着仪器分辨率的提高以及这一能量区间迅速变得可观测，描述电子-声子（-p）耦合对RIXS谱影响的高精度理论需求正变得迫切。迄今为止，针对此类问题仅开展了相当初步的理论工作。我们通过提出一种通用的变分近似来弥补这一不足，用于计算弱掺杂材料中具有多种不同-p耦合的各类模型的RIXS谱。在此，我们通过研究电子迁移率的作用来展示其部分潜力，而基于Lang-Firsov理论的广泛使用的局域近似完全忽略了电子迁移率。假设电子-声子耦合为最简单的Holstein型，我们讨论了局域近似失效的 regimes，并证明其不当使用可能严重低估-p耦合强度。
引用
@article{arxiv.2011.05400,
title = {Beyond the single-site approximation modeling of electron-phonon coupling effects on resonant inelastic X-ray scattering spectra},
author = {Krzysztof Bieniasz and Steven Johnston and Mona Berciu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.05400},
year = {2021}
}
备注
15 pages, 10 figures