拓扑绝缘体中光电流的能带分辨成像
材料科学
2019-05-01 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过时间和角分辨光电子能谱研究拓扑绝缘体 BiSe 中光电流产生的微观起源。我们对圆偏振光激发后演化的未占据能带结构进行成像，并观察到动量空间中不对称的电子布居，这是光电流的谱学特征。通过分析布居的上升时间，我们确定了哪些占据态与未占据态被光激发耦合。我们得出结论：光电流只能通过耦合到自旋-轨道织构态的共振光学跃迁来激发。我们的工作为如何在具有自旋-轨道耦合和破缺反演对称性的系统中控制光电流提供了微观理解。
引用
@article{arxiv.1712.08694,
title = {Band resolved imaging of photocurrent in a topological insulator},
author = {Hadas Soifer and Alexandre Gauthier and Alexander F. Kemper and Costel R. Rotundu and Shuolong Yang and Hongyu Xiong and Donghui Lu and Makoto Hashimoto and Patrick S. Kirchmann and Jonathan A. Sobota and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.08694},
year = {2019}
}