TMTSF单晶晶体管中的类能带输运与俘获
材料科学
2009-07-14 v1
摘要
我们对四甲基四硒富瓦烯（TMTSF）单晶场效应晶体管进行了实验和理论联合研究，其电学特性清晰地显示出材料本征输运性质的特征。我们引入了一个基于物理参数的简单、定义明确的模型，并成功地定量再现了器件特性随温度和载流子密度的变化。该分析允许检查其内部一致性，并能够可靠地提取材料中浅能级和深能级陷阱的密度和特征能量。我们的发现表明，浅能级陷阱源于由深能级陷阱中固定电荷产生的静电势涨落。
引用
@article{arxiv.0907.2219,
title = {Band-like transport and trapping in TMTSF Single Crystal Transistors},
author = {H. Xie and H. Alves and A. F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2219},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures and 1 table