黑磷与金电极界面处的带隙重构

N. N. Orlova; N. S. Ryshkov; A. A. Zagitova; V. I. Kulakov; A. V. Timonina; D. N. Borisenko; N. N. Kolesnikov; E. V. Deviatov

doi:10.1103/PhysRevB.101.235316

黑磷与金电极界面处的带隙重构

介观与纳米尺度物理 2020-06-29 v2

作者: N. N. Orlova , N. S. Ryshkov , A. A. Zagitova , V. I. Kulakov , A. V. Timonina , D. N. Borisenko , N. N. Kolesnikov , E. V. Deviatov

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摘要

我们通过实验研究了金电极与黑磷单晶之间界面的电荷输运。实验测得的 $dI/dV(V)$ 曲线以发育良好的零偏压电导峰和两条差异显著的分支为特征。我们发现,非对称 $dI/dV(V)$ 曲线的两条分支对应于不同的带隙极限,这与理论预测的黑磷表面在电场下的带隙重构一致。这一结论通过与窄带隙 (WTe $_2$ ) 和宽带隙 (GaSe) 金属-半导体结构的对称曲线进行实验对比得到证实。此外,我们展示了在异号高偏压下的 p 型掺杂剂重新分布,这为在阻变存储器应用中使用黑磷界面结构开辟了途径。

关键词

黑磷金电极带隙重构电荷输运金属-半导体界面阻变存储器 dI/dV 谱学

引用

@article{arxiv.2004.02813,
  title  = {Band gap reconstruction at the interface between black phosphorus and a gold electrode},
  author = {N. N. Orlova and N. S. Ryshkov and A. A. Zagitova and V. I. Kulakov and A. V. Timonina and D. N. Borisenko and N. N. Kolesnikov and E. V. Deviatov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2004.02813},
  year   = {2020}
}

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final version

黑磷与金电极界面处的带隙重构

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