通过调节CdIn$_2$S$_4$尖晶石中的反位程度控制带隙

Yohanna Seminóvski; Pablo Palacios; Perla Wahnón; Ricardo Grau-Crespo

doi:10.1063/1.3692780

通过调节CdIn$_2$S$_4$尖晶石中的反位程度控制带隙

材料科学 2015-06-04 v1 统计力学化学物理计算物理

作者: Yohanna Seminóvski , Pablo Palacios , Perla Wahnón , Ricardo Grau-Crespo

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摘要

基于理论论证，我们提出了一种可能的方法来控制有前景的光伏材料CdIn $_2$ S $_4$ 的带隙。我们的从头计算表明，该尖晶石中的实验反位程度（In占据四面体位点的分数）大致对应于在典型合成温度下由理论反位自由能最小值给出的平衡值。预计改变该温度或合成后的冷却速率会改变反位程度，进而灵敏地调节固体的电子带隙，正如这里通过精确的屏蔽杂化泛函计算所显示的那样。

关键词

带隙控制反位程度 CdIn2S4尖晶石光伏材料从头计算屏蔽杂化泛函

引用

@article{arxiv.1202.4752,
  title  = {Band gap control via tuning of inversion degree in CdIn$_2$S$_4$ spinel},
  author = {Yohanna Seminóvski and Pablo Palacios and Perla Wahnón and Ricardo Grau-Crespo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1202.4752},
  year   = {2015}
}

备注

In press in Applied Physics Letters (2012); 4 pages, 2 figures, 1 table

通过调节CdIn$_2$S$_4$尖晶石中的反位程度控制带隙

摘要

关键词

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