基于9 $\mu$m 硅膜的平衡超导体-绝缘体-超导体混频器
仪器与探测器
2011-08-01 v2 超导电性
摘要
我们展示了一种基于单晶硅衬底的380-520 GHz平衡超导体-绝缘体-超导体(SIS)混频器。所有射频(RF)电路组件均制作在m厚的膜上。中频(IF)被分别放大并合成。该平衡混频器芯片采用Nb/Al/AlO/Nb SIS结，利用金梁式引线触点安装在4.2 K的碲铜波导块中。我们在440-495 GHz射频和4-8 GHz中频带宽内测得未修正的最低接收机双边带噪声温度为70 K，噪声抑制高达18 dB，代表了该器件的先进性能。
引用
@article{arxiv.1105.1956,
title = {Balanced superconductor-insulator-superconductor mixer on a 9~$\mu$m silicon membrane},
author = {M. P. Westig and K. Jacobs and J. Stutzki and M. Schultz and M. Justen and C. E. Honingh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.1956},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 4 figures, Accepted by Superconductor Science & Technology