自动化、无深反应离子刻蚀的光纤与纳米光子器件耦合

集成光电器件与量子光子架构的快速发展产生了对低损耗光纤到芯片耦合的需求。本文提出一种快速且通用的途径，可实现纳米光子器件与光纤的温度稳定自对准连接。我们展示本方法可达到的精度等同于基于 DRIE 工艺的耦合。具体而言，初始对准精度为 $1.2\pm 0.4\mu m$，由插接引起的平均偏移 $<0.5\mu m$，该值量级等同于所用光纤同心度精度，热循环稳定性为 $<0.2\mu m$。由这些值算得预期总体对准偏移为 $1.4 \pm 0.4\mu m$。这些结果表明，我们的工艺提供了一种易于实现、通用、稳健且无 DRIE 的光子器件与光纤耦合方法。它可完全自动化，因此可扩展用于量子光子系统新型器件的耦合。