VSe$_2$-NbSe$_2$ 单层二维横向异质结中的原子级尖锐一维界面
介观与纳米尺度物理
2024-11-18 v1 材料科学
强关联电子
摘要
范德华异质结已成为创建人工设计电子态的理想平台。虽然垂直异质结已被广泛研究，但实现具有原子级尖锐界面的高质量横向异质结仍然是一个重大的实验挑战。在此，我们提出了一种一锅两步分子束横向外延方法，并成功合成了原子级清晰定义的 1T-VSe -- 1H-NbSe 横向异质结。我们展示了无缺陷横向异质结的形成，并利用扫描隧道显微镜和光谱学以及密度泛函理论计算表征了它们的电子结构。我们在一维界面处发现了额外的电子态，以及在侧耦合几何结构中的近藤共振特征。我们的实验探索了横向异质结在低维系统中实现奇异电子态的全部潜力，以用于人工设计量子材料的进一步研究。
引用
@article{arxiv.2405.17231,
title = {Atomically sharp 1D interfaces in 2D lateral heterostructures of VSe$_2$-NbSe$_2$ monolayers},
author = {Xin Huang and Héctor González-Herrero and Orlando J. Silveira and Shawulienu Kezilebieke and Peter Liljeroth and Jani Sainio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.17231},
year = {2024}
}