用于范德瓦耳斯异质结构中封装层非侵入式亚表面电学探测的探针
介观与纳米尺度物理
2019-12-18 v1 材料科学
摘要
通过堆叠不同原子级薄层材料形成的范德瓦耳斯异质结构已成为电子与光电子应用所寻求的器件平台。确定此类垂直堆叠中所有封装组件的空间范围是优化制备方法和改善器件性能的关键。在此，我们采用静电力显微镜作为一种快速且非侵入式的微观探针，可提供埋于样品表面下超过 30 nm 的二维层的清晰图像。我们通过研究由石墨烯、六方氮化硼和过渡金属硫族化合物组成的异质结展示了该技术的多功能性。在成像过程中，各组成层的工作函数充当独特的指纹，从而提供关于电荷环境、无序、结构缺陷和掺杂分布的重要见解。该技术在深入理解一大类纳米尺度材料和垂直异质结构中埋藏层的质量、平整度以及局域电学性质方面具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1906.02413,
title = {A non-invasive sub-surface electrical probe to encapsulated layers in van der Waals heterostructures},
author = {Mrityunjay Pandey and Radhika Soni and Avi Mathur and Srinivasan Raghavan and U. Chandni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.02413},
year = {2019}
}