SrRuO3 晶界处自旋阀磁电阻的原子起源
材料科学
2020-04-20 v1
摘要
缺陷普遍存在于晶体材料中，且通常表现出与块体基质截然不同的性质，因此其存在会对器件性能产生显著影响。尽管人们普遍接受缺陷性质由其独特原子环境决定，但由于缺陷的复杂性与表征困难，对大多数氧化物而言这种关系的精确认知仍远未清晰。本文中，我们制备了 36.8{\deg} 的 SrRuO3 晶界，其输运测量显示出自旋阀磁电阻。我们利用扫描透射电子显微镜与谱学确定了包括氧在内的原子排布。基于所获原子结构，密度泛函理论计算表明自旋阀磁电阻源于晶界处磁矩的急剧减小。通过缺陷控制在纳米尺度操控磁性质的能力，为设计具有低维磁序的磁/电子器件提供了新策略。
引用
@article{arxiv.1911.04108,
title = {Atomic Origin of Spin-Valve Magnetoresistance at the SrRuO3 Grain Boundary},
author = {Xujing Li and Li Yin and Zhengxun Lai and Mei Wu and Yu Sheng and Lei Zhang and Yuanwei Sun and Shulin Chen and Xiaomei Li and Jingmin Zhang and Yuehui Li and Kaihui Liu and Kaiyou Wang and Dapeng Yu and Xuedong Bai and Wenbo Mi and Peng Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.04108},
year = {2020}
}
备注
26 pages,4 figures