p型锗中陷阱主导的耿氏效应的渐近分析
凝聚态物理
2009-10-30 v1
摘要
我们对长样品、强补偿p型锗在低温及直流电压偏置下的漂移-扩散模型（包括依赖电场的产生-复合过程）中的耿氏效应进行了渐近分析。在每次耿氏振荡期间，存在对应于孤波的产生、运动和湮灭的不同阶段。除了每个新波的产生外，每个阶段都可以用一个仅含一个自由度（电流密度）的演化方程来描述。波的产生是一个更快的过程，可以通过求解一个半无限正则问题来描述。研究结果表明（取决于边界条件），在振荡的每个周期内可能会释放一个或多个孤波。文中包含了验证我们分析的数值模拟示例。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9705247,
title = {Asymptotics of the trap-dominated Gunn effect in p-type Ge},
author = {L. L. Bonilla and P. J. Hernando and M. A. Herrero and M. Kindelan and J. J. L. Velazquez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9705247},
year = {2009}
}
备注
Revtex, 25 pag., 5 fig., to appear Physica D