芳基功能化：单层石墨烯器件带隙工程的一条途径
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
化学功能化是石墨烯带隙工程的一条有前景的途径。我们将硝基苯基团化学接枝到剥离的单层石墨烯片上，形式包括衬底支撑薄膜或自支撑薄膜。我们的输运测量表明，非悬浮的功能化石墨烯表现为颗粒金属，具有变程跳跃输运特征，且在低温下迁移率能隙约为 0.1 eV。对于允许双面功能化的悬浮石墨烯，我们展示了将其电子性质从颗粒金属调控为有能隙半导体的过程，其中电荷输运通过跨越约 80 meV 能隙的热激活发生。这种非侵入式且可扩展的功能化技术为石墨烯电子器件的 CMOS 兼容带隙工程铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1201.4384,
title = {Aryl Functionalization as a Route to Band Gap Engineering in Single Layer Graphene Devices},
author = {Hang Zhang and Elena Bekyarova and Jhao-Wun Huang and Zeng Zhao and Wenzhong Bao and Fenglin Wang and Robert C. Haddon and Chun Ning Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.4384},
year = {2015}
}