人工自旋冰相变记忆电阻器
介观与纳米尺度物理
2022-09-21 v1 新兴技术
摘要
我们研究了坡莫合金纳米线上各向异性磁阻的影响，特别是电阻依赖于晶格类型的性质。我们讨论了人工自旋冰纳米线的内部自旋构型如何影响其有效电阻态，以及哪些机制可以引入电流依赖的动态电阻态效应。我们讨论了一种自旋诱导的热相变机制，以及一种非热的畴壁自旋反转。在这两种情况下，我们都观察到了类似于忆阻器（memristor）的记忆行为，具有 I-V 滞回收缩行为。
引用
@article{arxiv.1908.08073,
title = {Artificial Spin Ice Phase-Change Memory Resistors},
author = {Francesco Caravelli and Gia-Wei Chern and Cristiano Nisoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.08073},
year = {2022}
}
备注
5 pages double column + 9 supplementary material single column