结合Rietveld法与对分布函数分析研究高压和/或高温下晶体材料的方法：以菱方Bi2Te3相为例
材料科学
2018-03-08 v1
摘要
我们早期提出了一种结合Rietveld法和对分布函数分析来研究高压或高温下晶体材料的方法，在本研究中，将其应用于探究高压对菱方Bi2Te3相的影响。由压力高达9.1 GPa下测量的XRD图谱的Rietveld精修获得的精修结构参数被用作输入数据，以模拟偏和总结构因子SBiBi、SBiTe、STeTe和SBi2Te3。对Sij因子进行傅里叶变换可得偏和总对分布函数GBiBi、GBiTe、GTeTe和GBi2Te3。这些Gij函数的第一配位壳层由子壳层构成，且在1.1至6.3 GPa压力范围内随压力升高，发生子壳层的局部分离。此外，该压力范围内的压力升高导致层内角TeBiTe的急剧减小，进而引起层内距离TeTe的急剧减小。还观察到层间距离Te-Te的急剧减小。文献中报道了多项研究（包括我们开展的一项）显示在此压力范围内存在电子拓扑转变（ETT）。所得结果表明，该ETT与层内角TeBiTe以及层内和层间距离TeTe的减小有关。本文报道了描述菱方Bi2Te3热电势、电阻率和功率因子压力依赖关系的实验结果，并观察到在1.1至6.3 GPa范围内功率因子的增强。本研究获得的结果证明，功率因子的增强与层内角TeBiTe的减小以及层内和层间同极TeTe键的减小有关。
引用
@article{arxiv.1803.02479,
title = {Approach combining the Rietveld method and pairs distribution function analysis to study crystalline materials under high-pressure and/or temperature: Application to rhombohedral Bi2Te3 phase},
author = {J. C. de Lima and Z. V. Borges and C. M. Poffo and S. M. Souza and D. M. Trichês and R. S. de Biasi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.02479},
year = {2018}
}