结合 Rietveld 法与成对分布函数分析研究高压和/或高温下晶体材料的方法
材料科学
2018-02-14 v1
摘要
开发了一种结合 Rietveld 法与成对分布函数分析的方法，有助于理解温度和/或高压对晶体材料的影响。将其应用于正交晶系 Ta2O5 化合物，所得结果与文献报道的实验成对分布函数进行比较，达到了极好的一致。该方法可模拟平均成对分布函数 GTa-Ta(R)、GTa-O(R) 和 GO-O(R) 以及平均径向分布函数 RDFTa-Ta(R)、RDFTa-O(R) 和 RDFO-O(R)。获得了第一近邻的配位数，并用于计算 Cowley-Warren 化学短程有序参数 {\alpha}CW 的表达式中。计算值表明在第一配位壳层中存在形成同极对的偏好。先前关于高压对方正晶系 Ta2O5 影响的研究显示了压力诱导的非晶化过程。该非晶化可与第一配位壳层中形成同极对的偏好相关联。
引用
@article{arxiv.1802.04648,
title = {Approach combining the Rietveld method and pairs distribution function analysis to study crystalline materials under high-pressure and/or temperature},
author = {J. C. de Lima and Z. V. Borges and C. M. Poffo and S. M. Souza and D. M. Trichês and R. S. de Biasi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.04648},
year = {2018}
}