Lifshitz理论在不良导体中的应用
材料科学
2008-10-29 v1 量子物理
摘要
将色散力的Lifshitz公式推广到不能用局域介电响应描述的材料。不良导体的主要非局域性与穿透场的有限屏蔽长度和碰撞弛豫有关；在低温下，碰撞的作用由朗道阻尼扮演。空间色散使理论自洽。我们的预测与最近的实验进行了比较。结果表明，在低温下，简并等离子体的Casimir-Lifshitz熵随消失，而非简并等离子体则随消失。
引用
@article{arxiv.0809.3901,
title = {Application of the Lifshitz theory to poor conductors},
author = {Vitaly B. Svetovoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3901},
year = {2008}
}
备注
Accepted for publication in PRL