扩展 Eliashberg 理论在高 T_c 铜氧化物中的应用

E. Schachinger; J. P. Carbotte

扩展 Eliashberg 理论在高 T_c 铜氧化物中的应用

超导电性 2007-05-23 v1

作者: E. Schachinger , J. P. Carbotte

摘要

近年来，针对空穴掺杂高 $T_c$ 铜氧化物，其自旋与电荷能谱学已形成了一个统一的唯象图像。谱反常被解释为载流子与存在于光电导、ARPES（角分辨光电子能谱）以及隧穿数据中的集体自旋激发耦合的证据。这些反常可用于推导出载流子-交换玻色子相互作用谱密度 $I^2 \chi(\omega)$ 的近似图像，随后将其用于扩展 Eliashberg 形式理论中，以分析最佳掺杂和过掺杂铜氧化物的正常态与超导态性质。本文回顾了近期进展，并展示了实验与理论预测之间有时令人惊讶的一致性。

关键词

扩展 Eliashberg 理论高 Tc 铜氧化物谱反常 ARPES 自旋与电荷能谱学

引用

@article{arxiv.cond-mat/0207668,
  title  = {Application of an Extended Eliashberg Theory to High-T_c Cuprates},
  author = {E. Schachinger and J. P. Carbotte},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207668},
  year   = {2007}
}

备注

Invited review paper for the Jornal of Physical Studies (L'viv Ukraine) 36 pages, 28 figures

扩展 Eliashberg 理论在高 T_c 铜氧化物中的应用

摘要

关键词

引用

备注

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