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双层石墨烯中的反铁磁态

强关联电子 2012-12-04 v3

摘要

受Velasco Jr.等人近期实验的启发[J. Velasco Jr.等人, Nat. Nanotechnology 7, 156 (2012)],我们发展了一个平均场理论,研究在任意垂直磁场B下,电荷中性点处双层石墨烯中相互作用诱导的反铁磁(AF)态。我们证明AF态可以在所有B下持续存在。在较高B下,该态连续交叉到ν=0量子霍尔铁磁体的AF相,该相最近被认为在绝缘的ν=0态中实现。平均场准粒子间隙在B=0时有限,并随B增加而增大,在量子霍尔区域变为准线性,与报道的输运间隙行为一致。通过调整模型的两个自由参数,我们使间隙依赖性的关键参数——其零场值和高场斜率——的实验值与理论值同时定量吻合。我们的发现表明,参考文献1中在双层石墨烯中观察到的绝缘态在所有磁场下都是反铁磁的(考虑塞曼效应后为倾斜的)。

关键词

引用

@article{arxiv.1109.1553,
  title  = {Antiferromagnetic state in bilayer graphene},
  author = {Maxim Kharitonov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1553},
  year   = {2012}
}

备注

5 pages, 3 figs; v3: published version