欠掺杂铜氧化物中竞争涨落导致的对抗性面内电阻率各向异性

欠掺杂铜氧化物中各向异性电子态的主要表现之一是面内电阻率各向异性$\Delta\rho\equiv(\rho_{a}-\rho_{b})/\rho_{b}$。在此，我们利用玻尔兹曼方程方法计算了由最近实验观测到的各向异性电荷和自旋涨落散射对$\Delta\rho$的贡献。虽然电荷涨落的各向异性体现在关联长度上，但自旋涨落的各向异性仅出现在结构因子中。结果表明，自旋涨落倾向于$\Delta\rho>0$，而电荷涨落促进$\Delta\rho<0$，这两者均与在 YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$中观测到的$\Delta\rho$的掺杂依赖性一致。我们还讨论了 CuO 链在这些材料中的作用，并建议在应变 HgBa$_{2}$CuO$_{4}$和 Nd$_{2}$CuO$_{4}$中进行输运实验，以直接探测不同的电阻率各向异性区域。