质量型 Dirac 费米子的反常霍尔 Coulomb 拖拽

Dirac 费米子被广泛研究，质量型 Dirac 费米子量子化反常霍尔效应的发现激发了低能耗电子学的希望。一些承载 Dirac 费米子的材料是层间相干效应（如 Coulomb 拖拽和激子凝聚）的天然平台。在这里，我们确定了反常霍尔效应在质量型 Dirac 费米子系统 Coulomb 拖拽中所起的作用。我们关注有源层和被动层均具有面外磁化的拓扑绝缘体薄膜。有源层的横向响应由源于 Berry 曲率的拓扑项主导。我们表明，拓扑机制对 Coulomb 拖拽没有贡献，但被动层中的纵向拖拽力会产生横向拖拽电流。该反常霍尔拖拽电流与有源层磁化无关，这一事实可在实验中得到验证。它对被动层磁化的依赖呈非单调性，表现出一个在低密度下变得更加显著的峰值。这些发现应能激发对反常霍尔拖拽的新实验和定量研究。