磁杂质中各向异性驱动的拓扑量子相变

几年前，在包含硬轴各向异性项$DS_z^2$（$D > 0$）的 Anderson 和 Kondo 双通道自旋 -1 杂质模型中发现了一种拓扑量子相变（TQPT）。TQPT 最显著的表现是，随着$D$的增加，费米能级处局域电子的谱密度从非常高值跳跃到非常低值。如果两个导通通道是等效的，则相变发生在临界各向异性$D_c \sim 2.5\; T_K$处，其中$T_K$是$D=0$时的近藤温度。这种跳跃对于开发分子晶体管可能很重要。该跳跃是由于卢廷格积分中相应的跳跃引起的，对于$D > D_c$，卢廷格积分具有拓扑非平凡值$\pi/2$。在此，我们回顾了谱密度的主要结果，并强调了该理论对于解释在金属表面上的磁原子或分子所进行的测量的重要性。在这些实验中，$D$保持恒定，能量标度$T_K$通过某些参数进行调控。由此产生的变化导致了微分电导$dI/dV$，通过扫描隧道光谱测量，这与在中间$T_K$值处的 TQPT 一致。我们还表明，该理论可以扩展到整数自旋$S>1$和双杂质系统。在某些情况下，这对于半整数自旋和非等效通道也可能成立。