基于原子模板的 II-VI 族半导体纳米结构中的阴离子交换
材料科学
2018-04-04 v1
摘要
纳米结构的受控化学转化是一种有前景的技术，可获得难以通过其他方式精确设计的新型材料。我们报道了高温气相阴离子交换反应，在通过原子模板保留母体材料的单晶性、晶体结构、形貌甚至缺陷分布的同时，对 II-VI 族半导体纳米结构（100-300 nm 长度尺度）进行化学转化。原子模板的概念被用于通过 Te 被 Se 或 S 完全化学替换，从闪锌矿 CdTe 获得动力学控制、热力学亚稳的结构相，如闪锌矿 CdSe 和 CdS。底层转化机制通过第一性原理密度泛函理论计算加以解释。原子模板是在纳米尺度独立调控材料相与组成的独特途径，允许合成新型材料。
引用
@article{arxiv.1710.10175,
title = {Anion Exchange in II-VI Semiconducting Nanostructures via Atomic Templating},
author = {Rahul Agarwal and Nadia M. Krook and Ming-Liang Ren and Liang Z. Tan and Wenjing Liu and Andrew M. Rappe and Ritesh Agarwal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10175},
year = {2018}
}