基于第一性原理计算半导体中声子的非谐衰减
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
我们使用三阶密度泛函微扰理论，从第一性原理计算了C、Si和Ge中声子寿命的非谐贡献及其温度依赖性。与现有实验数据取得了良好的一致性。比较了不同的竞争性双声子衰减通道，并将其与终态密度相关联。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9408051,
title = {Anharmonic decay of phonons in semiconductors from first-principles calculations},
author = {Alberto Debernardi and Stefano Baroni and Elisa Molinari},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9408051},
year = {2007}
}
备注
4 pages, uuencoded, compressed POSTSCRIPT file (debernardi.ps.Z). To extract it, use uudecode and uncompress in turn, SISSA Ref. 116/94/CM/SC