吸附在石墨烯片上的原子光电离中的电子角分布

在将石墨烯片势 $U(z)$ 表示为由弥散碳原子形成的电中性层的模型框架下，研究了该势对吸附在石墨烯片上的原子的光谱特性的影响。由于吸附原子核与片表面之间的距离显著超过内层原子壳层的半径，势 $U(z)$ 仅影响连续态波函数。它们在吸附原子所在的上半空间 ($z>0$) 和下半空间 ($z<0$) 的行为由 $z=0$ 处波函数对数导数的跃变所定义。针对偏振矢量 $\mathbf{e}$ 与垂直于片表面的 $Z$ 轴的不同相对位置，计算了光电子角分布。研究表明，从势 $U(z)$ 反射的电子波的存在导致角分布相对于 $z=0$ 平面呈现明显的不对称性。实验观测这一效应对于定位在石墨烯结构上的原子的光电子能谱研究具有重要意义。