Bi2Sr2CaCu2O8单晶中直接射频功率吸收的角度依赖性研究
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
我们利用一种测量直接射频功率吸收的新技术，研究了Bi2Sr2CaCu2O8单晶中射频功率耗散随外加磁场与晶体c轴之间夹角的变化关系。我们观察到功率吸收随温度变化出现两个峰。第一个峰（峰A）的幅度和位置随取向变化，归因于约瑟夫森结的解耦。第二个峰（峰B）出现在略低于Tc处，归因于涡旋运动，其幅度取决于取向角度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508658,
title = {Angular dependence of direct rf power absorption studies in Bi2Sr2CaCu2O8 single crystals},
author = {S. P. Chockalingam and S. Sarangi and S. V. Bhat and K. Oka and Y. Nishihara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508658},
year = {2007}
}
备注
14 Pages, 4 Figures