约瑟夫森STAR发射器辐射功率的角度依赖性

Richard A. Klemm; Kazuo Kadowaki

doi:10.1007/s10948-010-0719-7

约瑟夫森STAR发射器辐射功率的角度依赖性

超导电性 2011-07-21 v2 强关联电子

作者: Richard A. Klemm , Kazuo Kadowaki

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摘要

我们计算了从施加直流电压的本征约瑟夫森结堆栈中受激太赫兹放大辐射（STAR）的功率角度依赖性。在相干发射过程中，我们假设堆栈中空间均匀的交流约瑟夫森电流密度充当表面电流密度天线源，而堆栈的腔体特征包含在磁表面电流密度源中。超导衬底充当完美磁导体，其表面满足 $H_{||,ac}=0$ 。综合结果与近期实验观测非常吻合。置于完美电导体上的现有Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+\delta}$ 晶体，其约瑟夫森STAR发射器功率可超过5 mW，满足许多器件应用的要求。

关键词

约瑟夫森结太赫兹辐射受激发射角度依赖性本征约瑟夫森结超导衬底 Bi2Sr2CaCu2O8+δ

引用

@article{arxiv.0807.3082,
  title  = {Angular dependence of the radiation power of a Josephson STAR-emitter},
  author = {Richard A. Klemm and Kazuo Kadowaki},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3082},
  year   = {2011}
}

备注

3 pages 3 figures

约瑟夫森STAR发射器辐射功率的角度依赖性

摘要

关键词

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