单层 MoS2 中的安德烈夫反射

研究了单层二硫化钼超导 - 正常（S/N）混合结中的安德烈夫反射。我们发现，通过使用修正的 Dirac 哈密顿量和散射形式体系，在 S 区和 N 区均为 $p$ 型掺杂的情况下，正入射时会发生完美的安德烈夫反射。与相应的带隙石墨烯结构相比，该系统中的安德烈夫反射概率及由此产生的安德烈夫电导被证明非常大。我们进一步研究了哈密顿量中拓扑项（$\beta$）的影响，并表明在 S 区和 N 区均为 $p$ 型掺杂时，它会导致安德烈夫电导增强，而在 S 区为 $n$ 型掺杂的相应结构中，与之相比则显著减小。这种效应可以用安德烈夫反射概率对超导区中 $\beta$ 符号和化学势的依赖性来解释。