碳纳米管中的 Anderson 局域化：缺陷密度与温度效应
材料科学
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
通过第一性原理方法分析了辐射诱导缺陷和温度在单壁 (10,10) 碳纳米管导电性中的作用。我们发现，双空位显著修改微观电导的能量依赖性，同时还减少了来自两个（理想情况下）的贡献通道到一个。少量双空位（5-9 个）会引起强烈的 Anderson 局域化效应，并产生针对缺陷数函数电阻的看似普适曲线。还证明，低温（约 15-65 K）足以平滑电导的波动，而不会破坏电阻随管长呈指数依赖。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511265,
title = {Anderson localization in carbon nanotubes: defect density and temperature effects},
author = {Blanca Biel and F. J. Garcia-Vidal and Angel Rubio and Fernando Flores},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511265},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures