缺陷诱导形变对碳纳米管中电子输运的影响
介观与纳米尺度物理
2018-11-26 v2
摘要
我们理论研究了碳纳米管中缺陷诱导的长程形变对其电子输运性质的影响。为此，我们使用基于密度泛函的紧束缚（DFTB）模型对各种含空位的碳纳米管进行数值第一性原理计算。几何优化导致原子位置改变。缺陷附近原子发生强重构（称为“畸变”），并且存在额外的长程形变。系统研究了这两种结构特征对电导的影响。我们比较了有无长程形变的不同种类的短和长碳纳米管。我们发现，对于极细的(9,0)-碳纳米管，与短程晶格畸变相比，长程形变额外影响了透射谱和电导。较大的(11,0)-或(14,0)-碳纳米管的电导总体受影响较小，这意味着长程形变的影响随管径增大而减小。此外，该效应可正可负，取决于碳纳米管类型和缺陷类型。我们的结果表明，为了可靠描述缺陷小直径锯齿型管的电子结构，必须包含长程形变。
引用
@article{arxiv.1705.01753,
title = {Influence of defect-induced deformations on electron transport in carbon nanotubes},
author = {Fabian Teichert and Christian Wagner and Alexander Croy and Jörg Schuster},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.01753},
year = {2018}
}
备注
Materials for Advanced Metallization 2017