$\upsilon=1/3$ 处激发电子态的解析结果与 Laughlin-Jain 微观波函数方法
强关联电子
2019-06-28 v1
摘要
本文研究了处于强磁场和低温条件下的二维电子气的性质。我们报告了基态能量的精确解析结果。这些结果针对在填充因子 的整数量子霍尔效应（IQHE）区域下计算的多达 个电子的系统。为完成计算，我们使用了复极坐标方法。需注意，量子霍尔区域中的电子系统严重依赖于有限电子系统的圆盘几何，其中电子数 从 2 到 10 任意取值。我们通过解析计算得到的结果与 Ciftja [Ciftja O., J. Math. Phys., 2011, 52, 122105] 报告的结果吻合良好，后者得到了某些贝塞尔函数乘积积分的表示。最后，我们研究了 处若干系统的复合费米子激发态能量，以及分数量子霍尔效应（FQHE）与整数量子霍尔效应（IQHE）之间的对应关系。
引用
@article{arxiv.1906.11562,
title = {Analytic results of the excited electronic states at $\upsilon=1/3$ and the Laughlin-Jain microscopic wave function approaches},
author = {M. A. Ammar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.11562},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 1 figure, 1 table