基于广义威布尔分布的氧化物介电击穿改进描述
材料科学
2012-08-27 v1
摘要
在这项工作中，我们研究了超薄氧化物介电击穿过程中描述击穿电荷量和/或击穿时间的统计分布中的模态参数涨落，这对于电子技术的进步具有重要意义。我们重新推导了一个广义威布尔分布（-威布尔分布），该分布能在存在氧化物厚度涨落时恰当地描述数据，旨在通过击穿时间外推和面积缩放来改进超薄氧化物的可靠性评估。涨落的引入使得-威布尔分布能够与Tsallis统计联系起来进行物理解释。为支持我们的结果，我们分析了通过实验和逾渗模型理论获得的SiO基MOS器件的数据，证明了-威布尔分布对介电击穿描述的优势。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602515,
title = {An Improved Description of the Dielectric Breakdown in Oxides Based on a Generalized Weibull distribution},
author = {U. M. S. Costa and V. N. Freire and L. C. Malacarne and R. S. Mendes and S. Picoli, and E. A. de Vasconcelos and E. F. da Silva,},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602515},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures