未掺杂硅鳍式场效应晶体管中的双极性量子点
介观与纳米尺度物理
2018-09-24 v1
摘要
我们仅使用标准互补金属-氧化物-半导体制造技术，在未掺杂硅鳍式场效应晶体管中集成了双极性量子点。我们通过用费米能级接近硅中隙位置的金属硅化镍替代传统的重掺杂源极和漏极电极来实现双极性。此类器件以双模式工作，既可作为经典场效应晶体管，也可作为单电子晶体管。我们通过将两个互连晶体管调谐为相反极性，在低温下实现了经典逻辑非门。在量子区域，我们展示了在少载流子库仑阻塞区中针对电子和空穴的稳定量子点操作。
引用
@article{arxiv.1807.04121,
title = {Ambipolar quantum dots in undoped silicon fin field-effect transistors},
author = {Andreas V. Kuhlmann and Veeresh Deshpande and Leon C. Camenzind and Dominik M. Zumbühl and Andreas Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04121},
year = {2018}
}