计算输运系数的替代方法：应用于氢化非晶硅的电导率和霍尔系数
统计力学
2015-05-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们引入了一个用于计算复杂材料输运系数的理论框架。作为第一个例子，我们解决了关于非晶硅电导率和霍尔迁移率的实验与理论之间长期存在的不一致性问题，并表明霍尔符号异常是局域态的结果。接下来，我们计算了非晶聚苯胺的交流电导率。该形式适用于涉及缺陷和带尾态的复杂材料，这些缺陷和带尾态源于静态拓扑无序和扩展态。该方法可以很容易地与当前的\textit{从头算}方法相结合。
引用
@article{arxiv.1006.3800,
title = {Alternative approach to computing transport coefficients: application to conductivity and Hall coefficient of hydrogenated amorphous silicon},
author = {M. -L. Zhang and D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.3800},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures, submitted to Phys. Rev. Lett