无序二维超导体的上临界场
软凝聚态物质
2009-10-31 v1
摘要
我们计算了作为杂乱度（由正常态单位面积电阻率测量）增加而变化的超导薄膜的上临界场。与以前的工作相反，我们发现随着杂乱度增加，上临界场在低温度没有异常的正曲率。我们表明，此前预测这种效应是由于对扰动计算中出现的求和进行的不正当解析近似所致。我们的处理包括对一阶扰动理论的严格分析以及非扰动求和技术。无论哪种情况下都没有发现异常的曲率。我们以图形形式呈现我们的结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9908426,
title = {Adsorption assisted translocation of a chain molecule through a pore in a spherical vesicle},
author = {K. Kiran Kumar and K. L. Sebastian},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9908426},
year = {2009}
}