通过原子操作实现单层孔洞石墨烯的另磁性
材料科学
2025-08-28 v1 计算物理
摘要
实现二维材料的另磁性 (AM) 对发展新型自旋电子器件至关重要。本研究提出了一种创新策略，通过吸附非磁性 杂质原子构建平面桥梁来实现单层材料的另磁性。以孔洞石墨烯 (HGY) 为研究对象，第一性原理计算表明，B 和 S 杂质原子可调节局部电子结构，触发超交换机制，诱导局部补偿反磁性基态，表现出显著的另磁性特征。在这些系统中，B 吸附系统的磁性能最佳，Né 温度可达约 210 K。本工作为实现单原子层材料和 -电子体系的另磁性提供了灵活且有效的策略。
引用
@article{arxiv.2504.04694,
title = {Achieving Altermagnetism in Monolayer Holey Graphyne via Atomic Manipulation},
author = {Han-Bing Li and Zhi-Gang Shao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.04694},
year = {2025}
}