基于 FTIR 的 CVD 同质外延金刚石层中硼浓度的精确测定
材料科学
2023-10-20 v1
摘要
半导体 CVD 金刚石层制造技术的深入发展，提出了开发一种精确且非破坏性的方法来评估薄外延层中硼含量的重要任务。对于块体及均匀掺杂的金刚石样品，红外光谱学成功地发挥了这一作用。本文提出一种从 FTIR 光谱确定 CVD 同质外延金刚石层中硼浓度的正确方法。该方法是对现有块体样品技术的自然推进。新技术的特征在于，针对特殊吸收机制，精确考虑辐射穿过具有不同吸收介质厚度的多层结构的情况。对此情形，获得了有效光密度的表达式。我们在一组生长于不同 HPHT 衬底上（含或不含氮杂质）的 CVD 同质外延层样品上展示了该方法的优势。将测得的 FTIR 光谱划分为对应于特定吸收机制的相关区段，并推导出硼吸收峰的正确幅度。从 FTIR 光谱获得的数据与由电容-电压电学测量得到的载流子浓度进行了详尽比较。
引用
@article{arxiv.2310.12587,
title = {Accurate FTIR determination of boron concentration in CVD homoepitaxial diamond layers},
author = {Mikhail Panov and Vasily Zubkov and Anna Solomnikova and Igor Klepikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.12587},
year = {2023}
}
备注
18 pages, 7 figures, 1 table