锡在四方相ZrO2中的固溶
材料科学
2015-02-25 v1
摘要
采用基于密度泛函理论的原子尺度计算机模拟，研究了锆基合金四方相氧化层中锡的行为。结果表明， 位点缺陷在大部分氧分压范围内占主导，而在低于 atm 的分压下， 的电荷由完全带电的氧空位补偿。向体系中引入额外正电荷被证明会显著提高 稳定的临界分压。近期开发的低锡核燃料包壳合金相比含锡合金（如Zircaloy-4）表现出改善的耐腐蚀性和延迟的转变。在正电荷与锡缺陷的相互作用方面，结合合金添加元素（如铌）及其对包壳合金腐蚀的影响进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1502.06883,
title = {Accommodation of Tin in Tetragonal ZrO2},
author = {B. D. C. Bell and S. T. Murphy and P. A. Burr and R. W. Grimes and M. R. Wenman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06883},
year = {2015}
}