单斜 $\beta$-Ga\textsubscript{2}O\textsubscript{3} 的从头计算速度-场曲线

Krishnendu Ghosh; Uttam Singisetti

单斜 $\beta$-Ga\textsubscript{2}O\textsubscript{3} 的从头计算速度-场曲线

材料科学 2017-07-24 v3

作者: Krishnendu Ghosh , Uttam Singisetti

摘要

我们结合从头计算和全带 Monte Carlo (FBMC) 模拟，研究了单斜 $\beta$ -Ga\textsubscript{2}O\textsubscript{3} 中的高场输运。FBMC 模拟中的散射率计算和终态选择使用了完整的波矢（电子和声子）以及依赖晶体方向的电子-声子相互作用 (EPI) 矩阵元。为了减轻 FBMC 模拟中的计算需求，我们针对短程非极性光学声子的 EPI 矩阵元，提出并实现了一种半粗粒化版本的 Wannier-Fourier 插值方法 [F. Giustino, M. L. Cohen, and S. G. Louie, Physical Review B, vol. 76, no. 16, 2007]。在对 EPI 进行插值时，实空间电子网格上的逆傅里叶和在粗网格上进行，而幺正旋转在细网格上进行。本文报告了单斜 $\beta$ -Ga\textsubscript{2}O\textsubscript{3} 中的高场输运，深入探讨了电子-声子相互作用的贡献，以及不同晶体方向上高达 450 kV/cm 电场下的速度-场特性。在 200 kV/cm 的电场下，估计峰值速度为 $2\times10^{7}$ cm/s。

关键词

从头计算全带 Monte Carlo 模拟电子-声子相互作用 Wannier-Fourier 插值高场输运速度-场特性

引用

@article{arxiv.1612.03126,
  title  = {Ab Initio Velocity-Field Curves in Monoclinic \(\beta\)-Ga\textsubscript{2}O\textsubscript{3}}},
  author = {Krishnendu Ghosh and Uttam Singisetti},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1612.03126},
  year   = {2017}
}

单斜 \(\beta\)-Ga\textsubscript{2}O\textsubscript{3} 的从头计算速度-场曲线

摘要

关键词

引用

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