碲卤化铋的从头算电子结构与光学电导率
计算物理
2016-11-23 v1 材料科学
摘要
我们通过全电子密度泛函理论研究了碲卤化铋 BiTeX（X = I, Cl, Br）的电子结构、介电和光学性质。特别是，我们展示了在宽频率范围内计算的从头算电导率和介电张量，并将我们的结果与 Akrap 等人、Makhnev 等人以及 Rusinov 等人最近的测量结果进行了比较。我们展示了如何利用光学电导率的低频分支来识别所有三种碲卤化铋中 Rashba 自旋分裂能带之间的特征带内和带间跃迁。我们进一步计算了折射率和介电常数，并将其与之前的预测和测量结果进行了系统比较。我们期望我们的定量分析有助于评估块体 Rashba 材料在自旋电子器件中的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1607.06693,
title = {Ab initio electronic structure and optical conductivity of bismuth tellurohalides},
author = {Sebastian Schwalbe and René Wirnata and Ronald Starke and Giulio A. H. Schober and Jens Kortus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.06693},
year = {2016}
}