Nb、NbSe$_{2}$ 和 MgB$_{2}$ 的 $H_{c2}$ 第一性原理计算

我们报道了利用第一性原理电子结构计算得到的费米面，对纯净第二类超导体 Nb、NbSe$_{2}$ 和 MgB$_{2}$ 的上临界场 $H_{c2}$ 的定量计算。Nb 和 NbSe$_{2}$ 的结果在没有任何可调参数的情况下，极好地再现了测量的 $H_{c2}$ 曲线的温度依赖和方向依赖关系，包括 NbSe$_{2}$ 在 $T_{c}$ 附近显著的向上弯曲。对于 MgB$_{2}$，在 $\pi / \sigma$ 能隙比约为 0.3 时获得了良好的拟合，该值接近第一性原理强耦合理论给出的值 [H. J. Choi \textit{et al}. Nature, \textbf{418} 758 (2002)]。我们的结果表明，费米面各向异性对于描述 $H_{c2}$ 具有本质的重要性。