2H-NbSe$_2$超导能隙结构的穿透深度研究

J. D. Fletcher; A. Carrington; P. Diener; P. Rodiere; J. P. Brison; R. Prozorov; T. Olheiser; R. W. Giannetta

doi:10.1103/PhysRevLett.98.057003

2H-NbSe$_2$超导能隙结构的穿透深度研究

超导电性 2007-05-23 v2

作者: J. D. Fletcher , A. Carrington , P. Diener , P. Rodiere , J. P. Brison , R. Prozorov , T. Olheiser , R. W. Giannetta

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摘要

我们报告了2H-NbSe $_2$ 中面内和面外穿透深度（分别为 $\lambda_a$ 和 $\lambda_c$ ）的温度依赖性测量。测量使用射频隧道二极管振荡器电路在低至100 mK的温度下进行。对各向异性超流密度的分析表明，一个减小的能隙位于一个或多个准二维Nb费米面片上，而不是Se片上，这与之前的一些报告相反。这一结果表明，能隙结构并非简单地与Se片上的弱电子-声子耦合相关，因此对于该化合物中各向异性超导性的微观模型具有重要意义。

关键词

穿透深度超导能隙 2H-NbSe2 各向异性超流密度费米面隧道二极管振荡器

引用

@article{arxiv.cond-mat/0605059,
  title  = {Penetration depth study of superconducting gap structure of 2\textit{H}-NbSe$_2$},
  author = {J. D. Fletcher and A. Carrington and P. Diener and P. Rodiere and J. P. Brison and R. Prozorov and T. Olheiser and R. W. Giannetta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605059},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, Revtex

2H-NbSe$_2$超导能隙结构的穿透深度研究

摘要

关键词

引用

备注

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