体硅冲击 Hugoniot 的 ab initio 计算
材料科学
2016-04-20 v1
摘要
我们描述了一种简单的退火程序，以计算高效的方式获得给定材料可通过冲击波到达的 Hugoniot 轨迹。我们将该方法应用于通过密度泛函理论力的 ab initio 分子动力学，确定体硅中高达 70 GPa 的 Hugoniot 轨迹。由于相变或屈服导致冲击波分裂为多个波的情况在此通过根据其屈服应变明确指定任何前序波的强度来考虑。给出了沿三个晶体轴的单轴弹性压缩点和若干后冲击相的点，包括一个近似由具有预定强度的弹性波后的各向同性应力构型描述的塑性屈服状态。结果与现有冲击硅的实验数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.1507.01751,
title = {Ab initio calculation of the shock Hugoniot of bulk silicon},
author = {Oliver Strickson and Emilio Artacho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01751},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 5 figures