单电子电路的随机游走基准测试
量子物理
2021-02-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
实现基本量子系统高保真控制的介观集成电路需要新的基准测试方法。我们给出以普适随机游走模型描述按需电子转移的稀有错误累积的电路级统计描述。对于一个高保真单电子电路——在实验中实现为GaAs/AlGaAs异质结构中的量子点链——转移操作的错误通过电荷计数探测。电子穿梭中多余()或缺失()电子的错误率测得为与，不确定度源于环境中的关联噪声。此外，对随机游走时序的精确控制使得能够探究随时钟频率增大记忆所起的作用。
引用
@article{arxiv.2003.01673,
title = {A random-walk benchmark for single-electron circuits},
author = {David Reifert and Martins Kokainis and Andris Ambainis and Vyacheslavs Kashcheyevs and Niels Ubbelohde},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.01673},
year = {2021}
}