在堆叠的拓扑绝缘体/磁性体双层结构中实现4.2 K以上的量化异常哈尔效应
介观与纳米尺度物理
2024-12-10 v1
摘要
量化异常哈尔效应（QAHE）发生在具有不仅量化哈尔信号，还在某些情况下具有无耗电子传输区域的精奇电子态中。最初的QAHE演示在磁掺杂的拓扑绝缘体（TI）中实现，需低于100 mK的温度，此后该领域的主要焦点一直是提高温度尺度。本文报道在由机械组装而非常规沉积技术制造的TI/磁性体双层结构中实现最高可达10 K的量化哈尔信号（即所谓的奇偶性异常态）。这是任何以前通过沉积制造的TI/磁性异构结构中QAHE记录温度的100倍，也是已知任何QAHE系统的约两倍。
引用
@article{arxiv.2412.05380,
title = {A quantized anomalous Hall effect above 4.2 K in stacked topological insulator/magnet bilayers},
author = {Rakshit Jain and Matthew Roddy and Vishakha Gupta and Benjamin Huang and Hasan M. Sayeed and Husain F. Alnaser and Amit Vashist and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Vikram V. Deshpande and Taylor D. Sparks and Daniel C. Ralph},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.05380},
year = {2024}
}