基于物理的 p-i-n 雪崩光电二极管多尺度紧凑模型
仪器与探测器
2021-06-09 v1 材料科学
摘要
基于 III-V 材料的数字合金雪崩光电二极管（APD）近来被发现具有类似于硅 APD 的低噪声特性。III-V 材料可被选择以在红外光谱中任意波长下工作。在本工作中，我们提出了一种基于物理的、与 SPICE 兼容的 APD 紧凑模型，其构建参数提取自环境依赖紧束缚（EDTB）模型，该模型已对标于第一性原理密度泛函理论（DFT）和蒙特卡洛（MC）方法。利用此方法，我们能够在集成光子电路仿真中准确捕捉这些 APD 的物理特性。
引用
@article{arxiv.2102.04647,
title = {A Physics Based Multiscale Compact Model of p-i-n Avalanche Photodiodes},
author = {Sheikh Z. Ahmed and Samiran Ganguly and Yuan Yuan and Jiyuan Zheng and Yaohua Tan and Joe C. Campbell and Avik W. Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.04647},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 11 figures