用于模拟各种MOSFET架构中量子限制效应的皮尔逊有效势蒙特卡洛方法
材料科学
2009-11-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们开发了一个皮尔逊有效势模型，用于在纳米级nMOSFET的模拟中包含量子化效应。该模型基于对电子波包非零尺寸函数的现实描述，已被用于体硅、单栅SOI和双栅SOI器件的蒙特卡洛模拟器中。对于SOI电容器，我们在宽有效场范围（0.1 MV/cm至1 MV/cm）和不同硅膜厚度（5 nm至20 nm）下计算了电子密度。在总反型电荷和电子密度分布方面，与薛定谔-泊松结果取得了良好的一致性。有效势方法能够准确再现静电量子限制效应的能力得到了清晰证明。
引用
@article{arxiv.0808.3951,
title = {A Pearson Effective Potential for Monte-Carlo simulation of quantum confinement effects in various MOSFET architectures},
author = {M. -A. Jaud and S. Barraud and P. Dollfus and H. Jaouen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.3951},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 11 figures, 3 tables