一种含空穴与电子掺杂的镧钛酸钇 p-n 二极管
强关联电子
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
空穴掺杂的磁性氧化物 La0.7Ca0.3MnO3 和电子掺杂的磁性氧化物 La0.7Ce0.3MnO3 在约 250 K 的温度下发生绝缘到金属相变，此后两者均表现为极化性半导体。我们成功制造了一层 Epitaxial 三层结构 (La0.7Ca0.3MnO3/SrTiO3/La0.7Ce0.3MnO3)，其中 SrTiO3 为绝缘体。在室温，即处于半导体态时，表现出类似 p-n 二极管的非对称电流-电压 (I-V) 特性。所观察到的 I-V 特性的非对称性在低温下消失，因为此时两种磁性氧化物层均为金属性。迄今为止，这是首次报告利用掺杂磁性氧化物的极化性半导体态构成此类 p-n 二极管。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108163,
title = {A 'p-n' diode with hole and electron-doped lanthanum manganite},
author = {C. Mitra and P. Raychaudhuri and G. Kobernik and K. Dorr and R. Pinto and K-H. Muller and L. Schultz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108163},
year = {2009}
}
备注
PostScript text and 2 figures, to be published in Appl. Phys. Lett.