纳米工程中的新型预测工具：超共形填充效率的直接估算

结果表明，纳米级空腔的超共形填充(SCF)效率($\epsilon_{SCF}$)可以用相关的物理和几何参数来合理表征。基于广泛的数值模拟并运用界面生长的动态标度理论，得出结论：用于评估$\epsilon_{SCF}$的相关量是所谓的“物理”纵横比$S_{P} = L/M^{\beta/\alpha}$，其中$\alpha$（$\beta$）是控制系统动态演化的粗糙度（生长）指数，$L$（$M$）是空腔的典型深度（宽度）。理论预测与最近报道的受限几何中电沉积铜和化学沉积银的SCF实验数据非常吻合，从而为解决目前尚未完全解决的纳米工程相关问题奠定了新工具的基础。